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Diodes Incorporated 美台半导体

DIODES

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品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： IGBT600V-XITO-220AB
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替代：
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电压 - 集射极击穿（最大值）：650V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，15A
功率 - 最大值：48W
输入类型：标准
丝印：
外壳：
封装：ITO-220AB
料号：JTG14-660
包装：
参考价格:￥13.706900
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输入类型：标准
丝印：
外壳：
封装：TO-247
料号：JTG14-1479
包装：
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品牌： Diodes Incorporated复制 DIODES 美台半导体
描述： IGBT 1200V-X TO247 TUBE 0.45K
参数： *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A *功率 - 最大值:48W 开关能量:270µJ（开），86µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:61nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/128ns 测试条件:400V，15A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):150ns 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A *功率 - 最大值:230W 开关能量:500µJ（开），400µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:60nC 25°C 时 Td（开/关）值:6ns/55ns 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):60ns 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A *功率 - 最大值:341W 开关能量:1.15mJ（开），350µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:219nC 25°C 时 Td（开/关）值:58ns/245ns 测试条件:400V，40A，7.9 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):145ns 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):180A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，60A *功率 - 最大值:428W 开关能量:920µJ（开），530µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:95nC 25°C 时 Td（开/关）值:42ns/142ns 测试条件:400V，60A，7 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):205ns 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，50A *功率 - 最大值:375W 开关能量:770µJ（开），550µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:287nC 25°C 时 Td（开/关）值:58ns/328ns 测试条件:400V，50A，7.9 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):80ns 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A *功率 - 最大值:348W 开关能量:1.44mJ（开），550µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:204nC 25°C 时 Td（开/关）值:73ns/269ns 测试条件:600V，25A，23 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):100ns 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 *IGBT 类型:场截止 *电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160A *不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A *功率 - 最大值:357W 开关能量:1.96mJ（开），540µJ（关） *输入类型:标准 栅极电荷:341nC 25°C 时 Td（开/关）值:65ns/308ns 测试条件:600V，40A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr):100ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
IGBT 类型：场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，40A
功率 - 最大值：357W
输入类型：标准
丝印：
外壳：
封装：TO-247
料号：JTG14-1495
包装：
参考价格:￥13.706900
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